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Fairchild/ON Semiconductor FQD4P25TM_WS
| Artikelnummer: | FQD4P25TM_WS |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Fairchild/ON Semiconductor FQD4P25TM_WS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD4P25TM_WS.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D-Pak Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc) FQD4P25TM_WS Einzelheiten PDF [English] FQD4P25TM_WS PDF - EN.pdf -
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